世界第一枚3nm芯片诞生于三星,台积电代工制造的是目前良品率最高的芯片

日期:2021-04-05 18:09:07 来源:互联网 编辑:小优 阅读人数:254

对于芯片的需求量越来越高越来越大,如此一来芯片生产的压力也变大,可是这对于台积电这种芯片代工厂而言却是一件非常可喜的事,台积电的芯片生产线提供了全球50%以上的芯片,当然还有一半的芯片被芯片代工厂生产。但对于如今体量的台积电有不少企业看着眼红的,比如三星集团。世界第一枚3nm芯片诞生,却不是台积电生产的。三星和台积电在芯片上两家可以说是对头,自从台积电崛起后在芯片上一直压三星一头,所以三星集团率先发布了3nm芯片,可谓是打了台积电一个措手不及,彻底颠覆以往的芯片市场。台积电骄傲不在!世界第一枚3nm芯片诞生于三星。虽然三星集团展示是储存芯片,而这一领域3nm芯片也有着优秀的潜质,毕竟三星早于台积电发布所以在大家看来似乎新一轮三星稍占上风。

世界第一枚3nm芯片诞生于三星,台积电代工制造的是目前良品率最高的芯片(图1)

世界第一枚3nm芯片诞生于三星,台积电代工制造的是目前良品率最高的芯片(图2)

三星虽然研发了3nm芯片但距离量产依旧还有很长的路要走。相比之下,台积电用的都是相对成熟的技术,这也令芯片研发领域的角逐越来越激烈了,面对禁令此前华为也想在上海成立芯片代工厂想要另辟蹊径,走出一条完全独立的道路,于是华为公司开始着手研发碳基芯片。所以随着在芯片研发领域的多元化,势必会让芯片研发领域的角逐越来越激烈。

世界第一枚3nm芯片诞生于三星,台积电代工制造的是目前良品率最高的芯片(图3)

三星集团在储存芯片上一直是强者,另外在储存压缩技术上,也是当仁不让,可以说是半导体产业领域的强者。在3nm储存芯片面世时,三星集团就公布了它们采取的一些新技术,例如GAAFET(环绕栅极场效应晶体管)技术,在增大晶体管数量的同时,控制能耗,并有效提高了性能,使得储存速率更快。相比于传统芯片采用的FINFET技术而言,三星采用的GAAFET技术明显占据优势,不仅消耗功率低,耗电量低,速度也更快。既然相比于台积电的传统芯片有如此多的优势,那么三星会不会取代台积电成为芯片制造商呢?其实三星虽然有这样的想法,可是实在心有余而力不足,一来三星的业务不只有芯片制造。还有不少别的领域,有太多要顾忌,也无法放开手。同时还有一个问题一直困扰着三星,那就是良品率问题,台积电代工制造的是目前良品率最高的芯片,而三星的3nm芯片的良品率却是台积电的一半都不到,自然也无法在短时间内取代台积电成为芯片代工的龙头企业。

世界第一枚3nm芯片诞生于三星,台积电代工制造的是目前良品率最高的芯片(图4)

世界第一枚3nm芯片诞生于三星,台积电代工制造的是目前良品率最高的芯片(图5)

虽然三星研发出了3nm芯片,并且有意要取代台积电,成为新的芯片代工巨头。可是这不得不说到芯片制造领域中的巨大投入,目前芯片大部分使用的依然是7nm-5nm等技术成熟的芯片,对于5nm以下的芯片,虽然都有研发,可是目前技术依旧不成熟,无法实现大规模普及。而且台积电也在着手研发3nm芯片了,只是没有像三星那么样提前发布,并且也能在2022年实现量产,所以三星想要取代台积电还是有很长的一段路要走。

世界第一枚3nm芯片诞生于三星,台积电代工制造的是目前良品率最高的芯片(图6)

三星在研发出3nm芯片后,就是如何提高良品率得以量产。三星虽然研发到了3nm芯片,可是配套生产的工艺并不成熟,这就导致了虽然科技上虽然有所进步,可是在真正投产时却发现了不少问题,特别是芯片制造的良率欠缺,这就成了挡在三星面前最大的一道坎。三星如果不解决芯片生产中的良品率问题就不得不重新投入研发,打造新的一条芯片制造工业链,这才能保证芯片的良率。

本文相关词条概念解析:

芯片

指内含集成电路的硅片,体积很小,常常是计算机或其他电子设备的一部分。芯片(chip)或称微电路(microcircuit)、微芯片(microchip)、集成电路(英语:integratedcircuit,IC),在电子学中是一种把电路(主要包括半导体设备,也包括被动组件等)小型化的方式,并通常制造在半导体晶圆表面上。前述将电路制造在半导体芯片表面上的集成电路又称薄膜(thin-film)集成电路。另有一种厚膜(thick-film)混成集成电路(hybridintegratedcircuit)是由独立半导体设备和被动组件,集成到衬底或线路板所构成的小型化电路。

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